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低阻值高B值NTC芯片
发布者 : admin 发布时间 : 2019/12/10 09:12:01


采用现有的配方和技术,NTC芯片只能做到超低阻值、超低B值,即电阻率若要做到0.3~0.6(kΩ.mm),则B值只能做到2700~2900K。如B值较小,会导致灵敏度较差,无法满足客户的特殊要求。为了克服现有技术的不足,爱晟电子为大家介绍一种线性较好、可在较宽温度范围内使用的低阻值高B值NTC芯片。该芯片的电阻率ρ为0.3~0.6(kΩ.mm)B值3250~3400K。其制造方法如下:


1)材料配比:MnO25~45%、CoO30~50%、CuO5~10%、MgO1~5%、CrO1~5%、TiO1~5%;


2)陶瓷浆料制备:首先,将上述各成分按照重量百分比混合成粉料;然后,加入乙醇、粘合剂、分散剂配成浆料;其中,粉料:乙醇:粘合剂:分散剂的重量比=1:0.3~0.5:0.5~0.7:0.05~0.1;


3)流延成型:将配备好的浆料置于真空箱中,采用导管将浆料吸水承载膜上,得到厚度为20~70μm的膜;然后,环形传送并经烘箱以30~60℃烘干各层,循环制作至设计的层数和厚度;烘干后经分离、切割、排胶、烧结得瓷片;


4)制电极:将烧结好的瓷片两面涂覆银电极;


5)划片:根据阻值需求,将瓷片划成所需尺寸,得到电阻率ρ为0.3~0.6(kΩ.mm),B值3250~3400K的NTC芯片。


低阻值高B值NTC芯片,其线性较好,能更好地应用于温度监测的行业;而且,该芯片电阻率ρ达到0.3~0.6(kΩ.mm),B值达到3250~3400K时,可在-60℃以下或更低温度范围使用。


检测:电阻率算法:ρ=RS/T


式中:R为NTC芯片在25℃温度下(测试精度在±0.02℃)测得的阻值;S为NTC芯片的面积(长*宽);T为NTC芯片的厚度。


B值算法:B=(T1*T2/(T2-T1))*㏑(R1/R2)


公式中:T1/T2一般为25/85,或者25/50,或者25/100;R1为温度T1时的电阻值;R2为温度T2时的电阻值;T1为298.15K (273.15+25℃);T2为323.15K(273.15+50℃)

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