IGBT是电力电子装置的“CPU”，在电力电子的变流和控制中起着举足轻重的作用。然而，在IGBT模块工作过程中，若出现模块损耗过大，伴随热量难以耗散，就会导致内部温度极高，产生气体冲破壳体，这就是所谓的IGBT爆炸。

IGBT爆炸的原因通常包括以下几种情况：

一、内部原因

发热功率超过散热功率，产生过热现象，导致爆炸的发生。

二、人为原因

（1）进线接在出线的端子上；

（2）变频器接错电源；

（3）没按要求接上负载装置。

三、常见原因

（1）过电流：一种是负载短路，另一种是控制电路处逻辑受干扰，导致上下桥臂元件直通；

（2）绝缘的损坏；

（3）过电压：通常是线路杂散电感在极高的DI/DT作用下产生的尖峰电压而造成，解决的办法就是设计高性能吸收回路，降低线路杂散电感；

（4）过热：IGBT不能完全导通，在有电流的情况下元件损耗增大，温度升高导致损坏；

（5）通讯误码率

a.通讯一段时间后，突然的错误信息导致IGBT误导通使IGBT爆炸；

b.通讯板FPGA程序运行不稳定导致IGBT误导通使IGBT爆炸。

4.其他原因

（1）电路中过流检测电路反应时间跟不上；

（2）工艺问题，螺丝拧不紧等；

（3）短时大电流，如主电路过压、吸收电路未做好等；

（4）驱动电源也是个应该特别注意的问题，该隔离的需要隔离、该滤波的需要滤波；

（6）电机冲击反馈电压过大导致IGBT爆炸，但对于充电时爆炸的情况发生的概率不是很大。

（7）电机启动时，输入测电压瞬间跌落，电容放电；输入测电压恢复后电容充电时的浪涌电流过大致使IGBT爆炸。

广东爱晟电子科技有限公司生产的IGBT用NTC热敏电阻芯片，在IGBT模块中起到温度监测和温度控制的作用，能够保证模块正常运作，防止事故发生。

参考数据：

微信公众号 HORKE汇科工控 《变频器IGBT爆炸原因及案例分析》