随着通讯领域的快速发展，尤其是近几年，对于终端通讯设备的电磁抗干扰能力的要求越来越高，这给弱电线路的设计布局等带来极大的挑战。大的容抗感抗可能给通讯的可靠性造成影响，在此情况下，对于高可靠、低容抗、低感抗、不易被磁化的NTC芯片的需求越来越大。

传统的NTC芯片，一般由过渡元素锰钴镍及铁的氧化物组成。众所周知，由于铁钴镍的元素电子排布原因，这几种元素的磁特性特别突出，含有这些元素的热敏芯片材料容易磁化且有较高的磁导率。不含铁钴镍元素的热敏材料可以消除这类影响，但目前该类材料在国内外的研究极少。不含铁钴镍的钙钛矿结构的LaMnO₃的负温度特性，可以通过Al、Mn的含量来调整材料的阻值及B值，以达到最终使用要求。广东爱晟电子科技有限公司为大家介绍一款几乎不含Fe、Co、Ni元素，磁导率接近1，不易被磁化且不导磁的NTC芯片，其制备方法的具体步骤如下：

一、以La₂O₃、MnCO₃、Al₂O₃为原料，按La₂O₃为100，Al₂O₃为5~50，MnCO₃为55~110的摩尔比置于锆球球磨罐中，按原料：锆球：水为1：3：2的重量比加入锆球、水，球磨8小时，得到浆料；

二、将球磨的浆料在200℃烘干，在900~1200℃煅烧2~8小时，得到固体粉体材料；

三、将煅烧后的固体粉体材料重新置于锆球磨罐，按固体粉体材料：锆球：水为1：3：1.5的重量比加锆球、水，球磨8小时后，在200℃条件下烘干24小时并压制成型；再在1100~1500℃烧结5小时，得到NTC热敏芯片材料；

这款不易被磁化且不导磁的NTC芯片，采用La₂O₃、MnCO₃、Al₂O₃为原料，原料经锆球球磨、烘干、900~1200℃煅烧，再球磨，烘干、烧结，得到基本不含Fe、Co、Ni元素的NTC热敏芯片材料。因材料中Fe、Co、Ni含量低于0.005％，解决了传统的热敏芯片含Fe、Co、Ni系材料较多，容易磁化及有较高的磁导率的问题，所得的NTC热敏芯片材料不易被磁化且不导磁，磁导率接近1，进而解决了弱电线路中因NTC芯片磁化而导致的电磁干扰问题。

通过对Al、Mn的含量控制，以调节钙钛矿结构。具有负温度特性的LaMnO₃的参数，按La₂O₃为100，Al₂O₃为5~50，MnCO₃为55~110的摩尔比，当Al₂O₃和MnCO₃超出下限范围时，不能得到稳定的钙钛矿结构且NTC特性弱，不具备实用性；当Al₂O₃和MnCO₃超出上限范围时，不能得到稳定的钙钛矿结构，且NTC特性弱、电阻率太高，同样不具备实用性。





参考数据：

CN107140982A《一种负温度系数热敏电阻材料的制备方法》