QQ在线客服
首页 >技术支持 > 芯片电容
技术支持
简述芯片电容器基片的几种制备方法
发布者 : admin 发布时间 : 2018/07/16 11:07:39

片电容器几种制备方法


      片电—单层陶瓷电容具有尺寸小、厚效串联电阻低、损耗低的优点,用频可达数GHZ,用于型、微波的场合,广泛应用于微波通讯线路微波功率大器及微波集成电路中起到隔直交、RF旁路 滤波、调谐作用,是军用和用的可靠性产品


      片电容器品结构如下1前主要采用流延法、轧膜法瓷基控溅射、电镀方法制备外电极,最后通过精密切割技术制不同寸的芯片电容器

 

1


     下面简要的介芯片电容器的陶瓷基片的种制备方法:


     流延法,流术生产效率,自化水平片平整易加,质量稳定等。流延法是将配制好的瓷浆通过流延设备的注浆口,涂布在环形钢带或塑料带上,从而形成一层均匀的浆料层,其厚可由浆料的黏度、注浆口的宽度及钢带的走带速度调节。经干燥后形成一定厚度和宽度具有一定强度弹性的致密的陶瓷基片,可以很方便地进行加工,流延出的瓷膜平整,光洁度高,常见厚度在1-60um间。


     法:轧通常在轧膜机上进,轧膜机由两个滚筒组成,筒的表面经过镀铬光,以保证轧出的薄膜具有较高的光洁度。滚筒之间的距离可以调节,以便控制轧膜的度。般轧膜 过程分为配料、粗轧和精轧几个工序。料是瓷料粉末和一定的合剂、溶剂配成浆料,以便粗轧。粗的目的是粉料和合剂彻底地混合均匀,并获得一定的厚度的瓷以便进行精轧。精轧时逐步缩小轧膜机两个滚筒之间的距离,通过反复多轧膜,最终获得需厚度的陶瓷。采轧膜法能保证瓷膜致密、气孔小,但膜的厚度难以达到最


     两种方法比较在同样烧结工艺条件下,轧膜工艺得到的陶瓷晶粒大,导致轧膜式的ε更大。流延工艺制备容器的εtanθ均小些,但其介温特性用时会影响电容器的可靠性。

mqu.cn site.nuo.cn