采用现有的配方和技术，NTC芯片只能做到超低阻值、超低B值，即电阻率若要做到0.3~0.6（kΩ.mm），则B值只能做到2700~2900K。如B值较小，会导致灵敏度较差，无法满足客户的特殊要求。为了克服现有技术的不足，爱晟电子为大家介绍一种线性较好、可在较宽温度范围内使用的低阻值高B值NTC芯片。该芯片的电阻率ρ为0.3~0.6（kΩ.mm），B值为3250~3400K。其制造方法如下：

1）材料配比：MnO25~45%、CoO30~50%、CuO5~10%、MgO1~5%、CrO1~5%、TiO1~5%；

2）陶瓷浆料制备：首先，将上述各成分按照重量百分比混合成粉料；然后，加入乙醇、粘合剂、分散剂配成浆料；其中，粉料：乙醇：粘合剂：分散剂的重量比=1：0.3~0.5：0.5~0.7：0.05~0.1；

3）流延成型：将配备好的浆料置于真空箱中，采用导管将浆料吸水承载膜上，得到厚度为20~70μm的膜；然后，环形传送并经烘箱以30~60℃烘干各层，循环制作至设计的层数和厚度；烘干后经分离、切割、排胶、烧结得瓷片；

4）制电极：将烧结好的瓷片两面涂覆银电极；

5）划片：根据阻值需求，将瓷片划成所需尺寸，得到电阻率ρ为0.3~0.6（kΩ.mm），B值为3250~3400K的NTC芯片。

低阻值高B值NTC芯片，其线性较好，能更好地应用于温度监测的行业；而且，该芯片的电阻率ρ达到0.3~0.6（kΩ.mm），B值达到3250～3400K时，可在-60℃以下或更低温度范围使用。

检测：电阻率算法：ρ=RS/T

公式中：R为NTC芯片在25℃温度下（测试精度在±0.02℃）测得的阻值；S为NTC芯片的面积（长*宽）；T为NTC芯片的厚度。

B值算法：B=(T1*T2/(T2-T1))*㏑(R1/R2)

公式中：T1/T2一般为25/85，或者25/50，或者25/100；R1为温度T1时的电阻值；R2为温度T2时的电阻值；T1为298.15K (273.15+25℃)；T2为323.15K(273.15+50℃)