广东爱晟电子科技有限公司生产的IGBT用NTC芯片，因其高精度、高灵敏、高可靠的“三高”特点，以及其电阻值随温度变化而变化的特性，在IGBT模块中起到温度监测和温度控制的作用。IGBT模块兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT模块综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。因此，IGBT模块非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。

在IGBT模块工作过程中，保证其运作正常的关键的参数之一是IGBT芯片的温度，常用的温度测量办法是以NTC芯片作为感温热敏芯片安装在IGBT芯片上。一般情况下，NTC芯片会被安装在靠近硅片的地方，以实现紧密的热耦合。根据IGBT模块的种类不同，NTC芯片亦可以被安装在与硅相同的DCB上，也可以安装在单独的基片上。

利用NTC芯片可以从以下两种方式进行IGBT模块的内部温度监测：

一、采用模拟电路方式测量IGBT模块的内部温度

该方法是基于以一个带有NTC芯片的分压器作为热敏装置，而分压器的大小则影响热敏芯片的温度监测及数据的获取。如果尺寸太小，NTC芯片内部流动的电流将产生损耗，进而加热设备，导致测量结果不准确。另一方面，如果尺寸太大，测量的电压会变小，亦会导致监测失去准确性。为了减少电流的影响，可利用热视图进行检测，以免导致IGBT模块失效。

二、采用数字技术方式测量IGBT模块的内部温度

采用NTC芯片的电阻值随温度的升高而减少，反之增大的特点，改变RC组合件的时间常数。如下图所示：

电阻R₁₁和R₁₂定义了比较器的阈值，改变其输出。信号U_out也被用于触发晶体管Q₁使电容放电。当电容的充电由NTC芯片的电阻值R（ϑ）定义，U_out就成为了一个带有频率f_out=g（ϑ）的脉冲模式。

要根据U_out重建实际温度，只要计算一个确定周期内的脉冲就足够了。脉冲的数量可以确定温度；讲埋重映射到温度可以使用解析描述，并在两个最接近的值之间进行插值。