近年来，随着新能源汽车市场销售额的持续增长，SiC碳化硅模块因其适用于高频率、高功率密度的工作场景，逐渐成为各大厂商加速新能源创新的首选。为辅助厂商更好地完善碳化硅模块设计，广东爱晟电子科技有限公司推出了DR系列打线门极电阻，助力模块解锁高可靠性能。

与传统的硅基材料相比，碳化硅模块能够承受更高的工作温度和更高的电压，打线门极电阻的加入，能够为模块带来显著的性能提升。具体如下：

一、提高开关速度

通过打线门极电阻与碳化硅模块内部SiC芯片的电连接，能够有效降低栅极驱动回路的电感，提高碳化硅模块的开关速度。而开关速度的提升，则有助于减少功率转换过程中的能量损失，提高设备的整体效率。

二、提升功率密度

在碳化硅模块的设计方案中设置门极电阻，并结合其它元器件进行优化连接，在有限的空间内高效布局更多的功率器件，可大幅提升衬底利用率。这有助于满足功率模块设计中日益增长的小型化、密集化需求，推动其持续发展。

三、降低损耗

加入打线门极电阻，在消除源极电感效应的同时，显著提高开关速度。这一综合效果使得碳化硅模块的损耗大幅度降低，不仅有助于提升设备整体稳定性，还有助于延长模块的使用寿命。

爱晟电子研发、量产的SiC碳化硅模块用打线门极电阻，具有电阻温度系数（TCR，Temperature Coefficient Of Electric Resistance）低的特点，有利于推进碳化硅模块的高能效发展。而且门极电阻有水平导通及垂直导通两种结构，客户可根据SiC碳化硅模块不同的安装要求进行选择。同时，由于打线门极电阻的功能区均被保护在电阻内部，因此其可靠性也具备一定优势。