IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，它是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。广东爱晟电子科技有限公司生产的NTC热敏电阻在IGBT中能起到温度检测的作用，可实现精确地测量模块基板温度。今天我们就来探讨下IGBT的失效模式及其原因——失效时间和失效表现形式。

失效时间

IGBT的失效率会遵循浴盆曲线的规律，呈现明显的阶段性。由此，可将其失效分为早期失效、随机失效和寿命终结失效三个阶段。

1）早期失效

这种情况主要发生在生产测试阶段或者现场运行的早期阶段，例如NTC热敏电阻芯片在组装的过程中受到损伤。

2）随机失效

这种情况通常是不可控的，而随机失效率与IGBT的运行情况有极大关联。在浴盆曲线中，随机失效率是是以较低的稳定状态呈现，可用FIT（Failure In Time）来表示，实际含义是10亿个小时内的失效数。（注意：在测试过程中，必须排除早期失效和寿命终结失效的NTC热敏电阻元件）

λ = nf / N*t     FIT = λ*10^9

nf = 失效的数量（个）     

N = 运行的器件总数量（个）   

t = 观察的时间（以小时为单位）

MTBF (Mean Time Between Failures) ，失效间隔的平均时间，针对的是可维修的NTC热敏电阻元件。

MTTF (Mean Time To Failure) 是相同的概念，针对的是不可维修的NTC热敏电阻元件。

MTBF 和MTTF是λ的倒数。

MTBF=MTTF= 1/λ