IGBT（绝缘栅双极型晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor），是由BJT（双极型三极管，Bipolar Junction Transistor）和MOS（绝缘栅型场效应管，Metal Oxide Semiconductor）组合而成的复合全控型电压驱动式功率半导器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小；综合了以上两种器件优点的IGBT，因其驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。

IGBT模块则是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点，封装后的IGBT模块直接应用于变频器、不间断电源（UPS，Uninterrupted Power Supply）等设备上。随着节能环保等理念的推进，模块化产品在市场上将越来越常见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

利用IGBT实现双面水冷技术（DSC，Dual-sided Cooling Technology），主要是为了解决新能源汽车（纯电动及混动）中，车载逆变器功率密度的问题。IGBT作为双面水冷模块，首先需要保证其塑封材料在不同工作温度下的机械一致性。如下图所示，相比现有的IGBT模块，芯片上层的DCB构成第二条散热通道，用于改善模块的散热效果。

由于去除了传统设计中的铜底板，模块的热容显著减小，其热耦合性能大幅提高，基本只在热源附近的芯片温度较高。同时，新的DSC模块还伴随着寄生电感和封装电阻的显著降低。此外，模块还集成了电流和温度传感器，便于实现芯片电流、温度的检测，这条与常规芯片倒没有特别的差异。如下图通电实验显示，在同等条件下采用双面水冷散热后，输出功率能够增加30%以上。

广东爱晟电子科技有限公司生产的IGBT用NTC热敏电阻芯片，采用先进的半导体制程，确保了热敏电阻芯片连续生产的高稳定、高可靠，制造更高精度的NTC热敏电阻芯片。

参考数据：

电子发烧友 《什么是IGBT？如何使用此模块实现“双面水冷”，IGNT未来的发展趋势又是如何？》