广东爱晟电子科技有限公司生产的IGBT热敏芯片，在IGBT模块中起到温度控制和温度监测的作用，能有效地帮助IGBT模块在电动汽车中安全、稳定地运作。

由于中国市场的IGBT模块和芯片和长期依赖国外进口，因此自2005年开始，大量海外IGBT人才纷纷回国投入国产IGBT模块和芯片产业的发展，目前已经形成一定规模的IGBT产业链体系。IGBT产业如今主要有三种商业模式：

一、Fabless（无晶圆厂）模式，是指只负责芯片的电路设计与销售，将具体生产环节外包的公司。

二、封装模式，指购买芯片自主封装的商业模式。

三、IDM（Integrated Device Manufacture，集成器件制造）模式，是指集芯片设计、制造、封测多个环节于一身的公司。

由于电动汽车的持续发展，作为关键器件的IGBT一直处于供不应求的状态。面对市场的强劲需求，各IGBT厂商加大了投融资和生产布局。在技术方面，在电池容量成为电动汽车瓶颈问题的背景下，提高充电功率和效率，节省行车过程中的能耗等问题是提升电动汽车续航能力的有效途径。因此，常规车用硅基功率器件均具备被第三代半导体功率器件替代的可能性。

SiC是第三代半导体材料的代表。由于SiC具有高耐压、低损耗、高效率等特性，可以让功率器件突破硅的限制，带来更好的导电性和电力性能。这些特性的提高，正与汽车电子、工业自动化以及新能源等领域的需求相契合。于是，各大厂商纷纷在SiC上布局。全球SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立的态势，其中美国全球独大。全球SiC产量的70%~80%来自美国公司；欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链。

虽然SiC是长期趋势，但是SiC MOSFET短期内难以取代IGBT模块。SiC在磊晶制作上有材料应力的不一致性，造成晶圆尺寸在放大时磊晶层接合面应力会超出拉伸极限，导致晶格损坏，降低了产品良品率。因此，目前SiC芯片成品率低，晶圆尺寸主流仍维持4寸或6寸，无法取得大尺寸晶圆成本优势，生产成本过高。同等级别的SiC MOSFET，其成本是Si IGBT的8~12倍，而车用领域SiC解决方案的整体成本相比传统Si IGBT则高出约300美元。当前制约SiC器件发展的主要因素在于其高昂的价格，而成本的主要决定因素是衬底和晶圆尺寸。未来随着技术的发展，衬底的成本将会慢慢下降，晶圆的尺寸也会越做越大，价格也会慢慢下降。

参考数据：

微信公众号 佐思汽车研究《汽车IGBT研究：电动车IGBT市场份额和发展趋势综述》