IGBT是一款复合全控型电压驱动式功率半导体器件，其由BJT(双极型三极管，Bipolar Junction Transistor)和MOS(绝缘栅型场效应管，Metal Oxide Semiconductor)组成。为了实时监测IGBT的工作温度，防止其因温度异常导致失效，通常需要安装MELF贴片玻封NTC热敏电阻作为温控元器件。

在半导体电源应用中，低电感的短路往往可能伴随高电流发生，而这种短路状况可能是由于驱动干扰、半导体故障或者负载短路等导致的。而半导体开关，如IGBT、IGFET（绝缘栅场效应晶体管，Insulated Gate Field Effect Transistor）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管，Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Transistor）等，则可以主动限制短路电流，以保护整个程序以及外围设备免受损坏。由于施加的全部电压造成了半导体中的高电损耗，为了避免半导体开关的损坏，就需要在短路模式下快速关闭开关。因此，就需要有一款能改善短路、提高稳定性的IGBT，且需置入MELF贴片玻封NTC热敏电阻以实时监测其工作温度。

改善短路、提高稳定性的IGBT，包括有半导体第一表面的发射端，半导体第二表面的集电极端，第一导电性类型的第一区域位于第一表面和第二表面之间的半导体中。集电极注入结构与第二表面连接且其为第二导电类型，包括彼此之间第一横向距离的第一部分和第二部分。值得注意的是，在IGBT的第一部分和第二部分之间的区域中还置入了一个毗邻第一区域的MELF贴片玻封NTC热敏电阻实时监测IGBT的工作温度。

广东爱晟电子科技有限公司研发、生产的MELF贴片玻封NTC热敏电阻，因温度范围广、精度高、适合无引线封装，在IGBT中起到温度监测以及温度控制的作用。





参考数据：

US9825023B2《Insulated gate bipolar transistor comprising negative temperature coefficient thermistor》