广东爱晟电子科技有限公司生产的单层芯片电容，尺寸小（最小可至0.23mm）、厚度薄（最薄可至0.12mm）、等效串联电阻低、损耗低，可在微波应用中起到隔直流、RF旁路、滤波、调谐等作用。

小电容滤除高频，大电容滤除低频。为了达到更好的滤波效果，一般输入电源或者输出电源都会采用一个大容值电容加一个小容值电容的方式（如1uF+0.1uF）。旁路一般位于信号输入端，去耦一般位于信号输出端。旁路滤除的是前级电源的干扰，一般是高频噪声，在输入电源管脚上加小容值电容，比如常见的 0.1uF。去耦滤除的则是输出级的干扰，因为输出级是作为了下一级的输入。去耦的第一个作用和旁路是一样的，高频滤波。第二是充当储能电容，在负载所需电流突然增大时提供电能，满足驱动电路的电流变化，电容越大，储能越多，在一定范围内，满足负载电流变化更有效。

那么，去耦和旁路又有什么区别呢？旁路（Bypass）是把输入信号中的高频成分作为滤除对象。而去耦（Decoupling），也称为退耦，是把输出信号的干扰作为滤除对象。对比可知，旁路电容和去耦电容的作用都是滤波，只是在电路上的位置不同而已。

关于电容的去耦半径，小容值电容去耦路径短，超过去耦路径，就失去了去耦效果，所以一般靠近集成电路（IC，Integrated Circuit）摆放。大容值电容去耦路径长，摆放位置相对宽松一些。所以电一般是先经过大电容，再经过小电容，再进入到集成电路芯片。

参考数据：

记得诚《三分钟了解电容的去耦半径》