SLC单层芯片电容具有体积小、容量大、应用频率高等特点，被广泛应用于电子、雷达、导航和卫星通讯等方面。传统的单层芯片电容中间为介质层，上下各一层电极层，下电极采用金锡合金或铅锡合金等焊料焊接于电路中，上电极采用金丝键合技术与其他电路元件相连。

目前，单层芯片电容金锡焊料的制备工艺，要么材料利用率低，大大增加了生产成本；要么工艺难度系数高，对电镀槽液成份和温度的控制要求很高，并且存在电镀液污染等问题，很难满足环保要求。为了解决上述现有技术中存在的问题，广东爱晟电子科技有限公司介绍一款带有金锡焊料的单层芯片电容，其包括金锡焊料层、下电极层、介质层、上电极层。该芯片电容可提高封装效率，降低封装成本；工艺简单，速度可控，生产成本低；全程无污染，而且所制成的金锡焊料在高温焊接时性能优良，保证了产品的稳定性，适用于工业化生产。

带有金锡焊料的单层芯片电容的具体制备步骤如下：

一、制备陶瓷基片并清洗烘干；

二、采用蒸镀或溅射的方式在陶瓷基片上下表面形成电极层；

三、将形成上下电极的陶瓷基片放入真空溅射机内，采用直流溅射的方式溅射金锡焊料层，基片采用自转和公转方式；

四、溅射金锡焊料层，靶材采用金与锡的质量比为80：20的金锡合金，腔体加热温度为100~500℃，真空度为10-6-10-7mTorr，功率为500W~4000W，时间为50s~1000s，采用X光机或台阶仪监测溅射膜厚，同时采用在线监测系统实时监测溅射膜厚；

五、根据不同陶瓷基片性能的要求，部分基片只需在上电极或下电极表面单面溅射金锡焊料层，部分基片需正反两面溅射；

六、金锡焊料层溅射完毕后关掉加热装置，充入气体，取出半成品；

七、将半成品进行常规的光刻、刻蚀、电镀、清洗等工艺处理；

八、切割、测试、分选；

九、产品包装。





参考数据：

CN110400696A《一种带有金锡焊料的单层电容器的制造工艺》