单层陶瓷电容具有体积小、结构坚固、频率特性优异、电气性能稳定和可靠性高等优点，被广泛应用于各种微波通讯电路中。单层陶瓷电容一般要经过清洗、溅射、电镀和划切等几个工序，为提高单层陶瓷电容的电容量、微波性能以及其划切成品率、切划质量，广东爱晟电子科技有限公司介绍一种单层陶瓷电容的制备方法。其制备步骤如下：

一、将陶瓷介质基片进行水超声波清洗和有机溶剂超声波清洗，然后干燥；

二、采用真空溅射的方法，在清洗后的陶瓷介质基片的上表面及下表面溅射一层金属电极层；

三、采用光刻方法，进行涂胶、前烘、显影和坚膜，在金属化后的陶瓷介质基片上制作出图案；

四、将陶瓷介质基片进行电镀、腐蚀和冲洗，使得陶瓷介质基片的上表面及下表面形成多个形状相同的金属电极层，从而得到待划切单层陶瓷电容基片；

五、对待划切单层陶瓷电容基片进行清洗后，在陶瓷介质基片下表面的金属电极层上电镀一层镍，将陶瓷介质基片的镀镍表面粘接到玻璃板上；

六、待粘胶剂全固化后，采用划片机对陶瓷介质基片进行划切操作；

七、划切结束后将整块陶瓷电容浸泡到镍腐蚀溶液中，去除电镀的镍层，这时划切好的单层陶瓷电容就会与粘胶剂分离，由此得到单层陶瓷电容。

通过该方法制备单层陶瓷电容，具有以下优点：

一、有效提高单层陶瓷电容的电容量耐压值和介质常数，减小介质损耗，该方法适合大规模生产低损耗高性能微波单层陶瓷电容；

二、有效提高单层陶瓷电容器的划切成品率和切划质量，降低生产加工成本；

三、有效避免单层陶瓷电容划切崩裂和金属层翘曲问题。





参考数据：

CN107369554A《一种电容器的制造方法》