IGBT作为目前主流的半导体功率器件，被广泛应用于新能源汽车、航天航空、可再生能源等领域。在实际应用中，IGBT模块的工作环境几乎都处于高温状态，因此大部分模块都会采用NTC热敏电阻进行温度保护及温度监测，以防过温导致IGBT模块的失效。

考虑到IGBT模块长时间且高温的工作环境，一般选取MELF贴片玻封NTC热敏电阻（工作温度范围：-40℃~250℃），以保证IGBT内部结温监测工作的顺利开展。除此之外，在IGBT模块中应用MELF贴片玻封NTC热敏电阻还有以下优点：

一、IGBT模块内部布局较紧凑，无引线结构能更好地配合IGBT内部其它元器件的安装；

二、片式结构使MELF贴片玻封NTC热敏电阻尽可能地靠近被测器件，可确保测温过程的高精准度；

三、玻璃封装的防潮性能相较于其它封装方式更好，在IGBT高温高湿的工作环境也能发挥热敏电阻优良的负温度特性。

随着功率器件研发技术的日趋成熟以及应用场景的不断拓宽，比IGBT模块技术性能更优越的SiC碳化硅模块应运而生。SiC碳化硅模块之所以比IGBT模块更受青睐，是因为其开关频率更高、开关损耗更低、热力性能更好，显著提升的产品应用的工作效率。为配合制造厂商进行模块更新换代，广东爱晟电子科技有限公司推出了自主研发的新产品——门极电阻。其分为垂直式以及水平式，可实现垂直导通和水平导通两种结构，相较于MELF贴片玻封NTC热敏电阻，安装位置的选择更灵活。固定电阻还拥有良好的稳定性，使SiC碳化硅模块中的实时结温数据获取过程能更平稳。